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課程名稱 |
光電半導體技術
COMPOUND SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY |
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開課學期 |
99-1 |
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授課對象 |
電機資訊學院 電子工程學研究所 |
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授課教師 |
林浩雄 |
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課號 |
EE5115 |
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課程識別碼 |
921 U7150 |
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班次 |
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學分 |
3 |
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全/半年 |
半年 |
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必/選修 |
選修 |
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上課時間 |
星期三2,3,4(9:10~12:10) |
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上課地點 |
電二146 |
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備註 |
總人數上限：60人 |
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Ceiba 課程網頁 |
http://ceiba.ntu.edu.tw/991CST |
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課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
本課程尚未建立核心能力關連 |
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課程大綱
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為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
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課程概述 |
本課程介紹以GaAs及InP為主的三五族化合物半導體材料系統的磊晶及製程技術。
一、 光電半導體材料的種類及基本特性
二、 塊材成長技術
三、 真空技術
四、 磊晶技術：分子束磊晶法
五、 磊晶技術：有機金屬化學沈積法
六、磊晶技術：液相磊晶法
七、 製程技術：光罩幕法、乾濕式蝕刻、離子佈值、雜質擴散、歐姆接觸
八、 量測技術： X光繞射、光激螢光譜、霍爾效應 |
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課程目標 |
瞭解並熟悉三五族化合物半導體的基本晶格結構、能帶性質、光學特性、電學特性、磊晶、製程與量測技術 |
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課程要求 |
無預修課程 |
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預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
每週三 16:00~17:00 |
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指定閱讀 |
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參考書目 |
教科書： 上課講義
參考書目： T. Swaminathan, and A. T. Macrander, Materials aspects of GaAs and InP based structures, Prentice Hall, 1991.
A. Katz, Indium Phosphide and related materials: Processing, Technology, and Devices, Artech House, 1992.
R. E. Willams, GaAs processing technique, 2nd Ed., Artech House, 1990.
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評量方式
(僅供參考) |
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週次 |
日期 |
單元主題 |
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第1週 |
09/15 |
Basic properties (lattice and band gap) |
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第2週 |
09/22 |
The Moon festival 中秋節 |
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第3週 |
09/29 |
Basic properties (structural properties) |
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第4週 |
10/06 |
Basic properties (optical properties) |
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第5週 |
10/13 |
Basic properties (electrical properties) |
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第6週 |
10/20 |
Basic Properties |
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第7週 |
10/27 |
Bulk growth |
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第8週 |
11/03 |
Liquid Phase Epitaxy |
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第9週 |
11/10 |
Mid term exam |
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第10週 |
11/17 |
Vacuum Technology |
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第11週 |
11/24 |
vacuum technology |
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第12週 |
12/1 |
Molecular beam epitaxy |
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第13週 |
12/08 |
Molecular beam epitaxy |
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第14週 |
12/15 |
VPE and MOCVD |
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第15週 |
12/22 |
VPE and MOCVD |
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第16週 |
12/29 |
VPE and MOCVD |
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第17週 |
01/05 |
Processing (an overview) |
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第18週 |
01/12 |
Final exam |
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